FET de GaN en paquetes PQFN

Los FET de nitruro de galio (GaN) en paquetes PQFN de EPC ofrecen un rendimiento excepcional en espacios compactos, ideales para la conversión de energía de alta densidad. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de encendido ultrabaja, una carga de puerta baja y pérdidas de conmutación mínimas, lo que permite una mayor eficiencia y velocidades de conmutación más rápidas que los MOSFET de silicio tradicionales.

Con valores nominales de voltaje de hasta 200 V y capacidades de corriente pulsada que superan los 400 A en algunas piezas, estos FET de GaN son perfectos para aplicaciones exigentes como accionamientos de motores, robótica y computación de alto rendimiento.