Semtechpresenta los diodos TVS RailClamp® que están diseñados específicamente para proteger componentes sensibles conectados a datos de alta velocidad y líneas de transmisión contra sobrevoltajes causados por ESD (descarga electrostática), CDE (eventos de descarga de cable) y EFT (transitorios rápidos eléctricos). El diseño único incorpora diodos de dirección de capacitancia baja nominal de sobretensión, y diodos TVS en un paquete simple. El RClamp3374N está diseñado para substituir hasta dos componentes para protección GbE de nivel de placa. Cada dispositivo está diseñado para proteger dos pares de línea. Esto se logra mediante el enrutamiento de rastros a través del dispositivo. Cuando se conecta de esta manera, el dispositivo puede soportar un alto nivel de sobretensión (40 A, 8/20 μs) manteniendo una capacidad de carga baja de menos de 5 PF. La alta capacidad de sobretensión significa que puede ser utilizado en entornos de alta amenaza en aplicaciones como Gigabit Ethernet, líneas de telecomunicaciones e interfaces LVDS. El RClamp3374N se construye usando tecnología de proceso EPD patentada de Semtech. El proceso EPD proporciona bajos voltajes separadores con reducciones significativas en la corriente de fuga y capacitancia sobre procesos de diodo de avalancha de silicio. Cuenta con una verdadera tensión de 3,3 V para una protección superior. El RClamp3374N viene en paquete SLP3020N10 de 10 pines. Mide 3,0 x 2,0 x 0,60 mm. Los conductores están acabados con plomo NiPdAu.
| Características |
| Aplicaciones |
- Matriz de tensión nominal de diodos con diodo interno TVS
- Protección contra transitorios para líneas de datos de alta velocidad
- IEC 61000-4-2 (ESD) ±30 kV (aire), ±30 kV (contacto)
- IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5/50 ns)
- IEC 61000-4-5 (descarga) 40 A (8/20 μs)
- Calificado para AEC-Q100 grado 1 (-45 º C a + 125ºC)
- Protege hasta 8 líneas
- Baja capacitancia para interfaces de alta velocidad
- Baja variación en capacitancia en comparación de voltaje de polarización
- Bajo voltaje de sujeción
- Bajo voltaje de funcionamiento: 3.3 V
- Tecnología de avalancha de silicio de estado sólido
|
|
- Ethernet 10/100/1000
- Uso automotriz
- Equipo de oficina central
- Interfaz de LVDS
- MagJacks / magnetismo integrado
- Computadoras portátiles/ de escritorio/ servidores
|
Configuración
Entrega rápida
Tipos de pago
Producto del mercado
Semtechpresenta los diodos TVS RailClamp® que están diseñados específicamente para proteger componentes sensibles conectados a datos de alta velocidad y líneas de transmisión contra sobrevoltajes causados por ESD (descarga electrostática), CDE (eventos de descarga de cable) y EFT (transitorios rápidos eléctricos). El diseño único incorpora diodos de dirección de capacitancia baja nominal de sobretensión, y diodos TVS en un paquete simple. El RClamp3374N está diseñado para substituir hasta dos componentes para protección GbE de nivel de placa. Cada dispositivo está diseñado para proteger dos pares de línea. Esto se logra mediante el enrutamiento de rastros a través del dispositivo. Cuando se conecta de esta manera, el dispositivo puede soportar un alto nivel de sobretensión (40 A, 8/20 μs) manteniendo una capacidad de carga baja de menos de 5 PF. La alta capacidad de sobretensión significa que puede ser utilizado en entornos de alta amenaza en aplicaciones como Gigabit Ethernet, líneas de telecomunicaciones e interfaces LVDS. El RClamp3374N se construye usando tecnología de proceso EPD patentada de Semtech. El proceso EPD proporciona bajos voltajes separadores con reducciones significativas en la corriente de fuga y capacitancia sobre procesos de diodo de avalancha de silicio. Cuenta con una verdadera tensión de 3,3 V para una protección superior. El RClamp3374N viene en paquete SLP3020N10 de 10 pines. Mide 3,0 x 2,0 x 0,60 mm. Los conductores están acabados con plomo NiPdAu.
