Texas Instruments presenta el LM74670-Q1, un dispositivo que puede usarse con MOSFET de canal N en arquitecturas de rectificador de puente completo o medio puente para alternadores. Está diseñado para conducir un MOSFET externo para emular un diodo ideal. Una ventaja de este esquema es que no tiene referencia a tierra, por ello tiene cero IQ. Los diodos de Schottky en rectificadores de puente completo o medio puente y alternadores pueden reemplazarse con la solución LM74670-Q1 para evitar las pérdidas por conducción de diodo directa y producir convertidores CA-CC más eficientes.
Los controladores LM74670-Q1 proporcionan una unidad de compuerta para un MOSFET de canal N externo y un comparador interno de respuesta rápida para la descarga de la compuerta MOSFET en caso de polaridad inversa. Este dispositivo soporta una frecuencia de la señal CA hasta 300 Hz.
| Características |
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- Con calificación AEC-Q100 con los siguientes resultados:
- Grado de temperatura de dispositivo 1: Rango de temperatura de funcionamiento ambiente de -40 ºC a 125 ºC
- Supera el nivel de clasificación ESD 2 de HBM
- Nivel C4B de clasificación ESD de dispositivo CDM
- Pico de voltaje CA de entrada: 42 V
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- Cero IQ
- Controlador de puerta de la bomba de carga para MOSFET de canal N externo
- Baja tensión de avance y menor disipación de energía en comparación con el diodo de Schottky
- Capaz de manejar señal CA para frecuencia de 300 Hz
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| Aplicaciones |
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- Rectificadores de CA
- Alternadores
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- Herramientas de potencia
- Protección de polaridad inversa
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Producto del mercado
Texas Instruments presenta el LM74670-Q1, un dispositivo que puede usarse con MOSFET de canal N en arquitecturas de rectificador de puente completo o medio puente para alternadores. Está diseñado para conducir un MOSFET externo para emular un diodo ideal. Una ventaja de este esquema es que no tiene referencia a tierra, por ello tiene cero IQ. Los diodos de Schottky en rectificadores de puente completo o medio puente y alternadores pueden reemplazarse con la solución LM74670-Q1 para evitar las pérdidas por conducción de diodo directa y producir convertidores CA-CC más eficientes. 
