Name: DMN13H750S-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN13H750S-13DI-ND
Price: 0.20015 USD
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN13H750S-13
N.º de producto de DigiKey	DMN13H750S-13DI-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN13H750S-13
Descripción	MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 130 V 1H (Ta) 770mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.6 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 231 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 770mW (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 130 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 750mOhm a 2A, 10V	Número de producto base DMN13