Name: DMN2005UFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2005UFG-7DITR-ND
Price: 1.29 USD
Availability: InStock

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DMN2005UFG-7
N.º de producto de DigiKey	DMN2005UFG-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN2005UFG-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN2005UFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN2005UFG-7
Descripción	MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 18.1H (Tc) 1.05W (Ta) POWERDI3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 164 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±12V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6495 pF @ 10 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.05W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18.1H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor POWERDI3333-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.6mOhm a 13.5A, 4.5V	Número de producto base DMN2005