Name: G170P02D2
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G170P02D2TR-ND
Price: 0.68 USD
Availability: InStock

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G170P02D2
N.º de producto de DigiKey	3141-G170P02D2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G170P02D2CT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G170P02D2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G170P02D2
Descripción	P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 16H (Tc) 18W (Tc) 6-DFN (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 17mOhm a 6A, 4.5V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2179 pF @ 10 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 18W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 16H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 6-DFN (2x2)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-UDFN