Name: G2K3N10H
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K3N10HTR-ND
Price: 0.55 USD
Availability: InStock

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G2K3N10H
N.º de producto de DigiKey	3141-G2K3N10HTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G2K3N10HCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G2K3N10HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G2K3N10H
Descripción	MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 2H (Tc) 2.4W (Tc) SOT-223
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 220mOhm a 2A, 10V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 434 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2.4W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA