Name: GT090P08M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT090P08MTR-ND
Price: 2.68 USD
Availability: InStock

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GT090P08M
N.º de producto de DigiKey	3141-GT090P08MTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-GT090P08MCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-GT090P08MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	GT090P08M
Descripción	MOSFET P-CH 80V 178A 490W TO-263
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 80 V 178H (Tc) 490W (Tc) TO-263
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 9mOhm a 40A, 10V
Fabricante Goford Semiconductor	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Serie SGT	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 173 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11170 pF @ 40 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 490W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 178H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB