AUIRF7343QTR Infineon Technologies | Arreglos FET, MOSFET

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AUIRF7343QTR
N.º de producto de DigiKey	AUIRF7343QTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	AUIRF7343QTR
Descripción	MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 55V 4.7 A, 3.4 A 2W Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	AUIRF7343QTR Modelos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 50mOhm a 4.7A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Serie HEXFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC a 10V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 740pF a 25V
Estado de pieza Obsoleto	Potencia - Máx. 2W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Canal N y P	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.7 A, 3.4 A	Número de producto base AUIRF7343