Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 5.38 USD
Availability: InStock

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BSC019N08NS5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC019N08NS5ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 28H (Ta), 237H (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) PG-TSON-8-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC019N08NS5ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.9mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 3.8V a 146µA
Serie OptiMOS™ 5	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Última compra	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8600 pF @ 40 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 214W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 28H (Ta), 237H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSON-8-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN