Name: BSZ009NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ009NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 3.14 USD
Availability: OutOfStock

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BSZ009NE2LS5ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSZ009NE2LS5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSZ009NE2LS5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSZ009NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSZ009NE2LS5ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 39H (Ta), 40H (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) PG-TSDSON-8-34
Modelos EDA/CAD	BSZ009NE2LS5ATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 124 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±16V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5500 pF @ 12 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8-34
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 39H (Ta), 40H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base BSZ009
Rds On (máx) @ Id, Vgs 900mOhm a 20A, 10V