Name: IMSQ120R017M2HBXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R017M2HBXUMA1TR-ND
Price: 33.17 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo en DigiKey

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IMSQ120R017M2HBXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMSQ120R017M2HBXUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMSQ120R017M2HBXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMSQ120R017M2HBXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMSQ120R017M2HBXUMA1
Descripción	SIC DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 96H (Tc) PG-HDSOP-16-221
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.1V a 12.7mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 79 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (máx.) +23V, -7V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2910 pF @ 800 V
Estado de pieza Activo	Característica de FET Diodo Schottky (cuerpo)
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 573W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 96H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-HDSOP-16-221
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete / Caja (carcasa) 24-BSOP (0.606", 15.40mm de ancho), 16 conductores, placa descubierta
Rds On (máx) @ Id, Vgs 17.1mOhm a 40.4A, 18V