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IPD80R2K8CEBTMA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPD80R2K8CEBTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPD80R2K8CEBTMA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 1.9H (Tc) 42W (Tc) PG-TO252-3-11 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 120µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 290 pF @ 100 V |
Estado de pieza Discontinuo en DigiKey | Disipación de potencia (Máx.) 42W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8Ohm a 1.1A, 10V |
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Documentos y medios
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (2)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | 275 | IPD80R2K8CEATMA1CT-ND | $1.63000 | Directo |
| FCD3400N80Z | onsemi | 2,243 | FCD3400N80ZCT-ND | $2.94000 | Similar |
En stock: 0
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
