IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies | Arreglos FET, MOSFET

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IPG20N04S408AATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPG20N04S408AATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPG20N04S408AATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPG20N04S408AATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 20A 65W Montaje en superficie, lateral humedecible PG-TDSON-8-10
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC a 10V
Fabricante Infineon Technologies	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2940pF a 25V
Serie OptiMOS™	Potencia - Máx. 65W
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Estado de pieza Obsoleto	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Configuración Dos canal N (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20A	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.6mOhm a 17A, 10V	Número de producto base IPG20N
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 30µA

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Cantidad

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Cinta cortada (CT)

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