
IPP086N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPP086N10N3GXKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 8 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 80H (Tc) 125W (Tc) PG-TO220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPP086N10N3GXKSA1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 75µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3980 pF @ 50 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.6mOhm a 73A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | 1,686 | 448-IRFB4410ZPBF-ND | $2.82000 | Similar |
| RJK1001DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | 6 | 559-RJK1001DPP-A0#T2-ND | $8.27000 | Similar |
| IXFP130N10T | IXYS | 0 | IXFP130N10T-ND | $2.96650 | Similar |
| CSD19533KCS | Texas Instruments | 0 | 296-37482-5-ND | $2.70000 | Similar |
| FDP100N10 | onsemi | 417 | FDP100N10-ND | $4.47000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.05000 | $3.05 |
| 10 | $1.97000 | $19.70 |
| 50 | $1.50700 | $75.35 |
| 100 | $1.35750 | $135.75 |
| 500 | $1.09544 | $547.72 |


