Name: IPW60R099C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R099C6FKSA1-ND
Price: 8.43 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 600 V 37.9H (Tc) 278W (Tc) PG-TO247-3-1

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IPW60R099C6FKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPW60R099C6FKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPW60R099C6FKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 37.9H (Tc) 278W (Tc) PG-TO247-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPW60R099C6FKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 1.21mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 119 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2660 pF @ 100 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 278W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 37.9H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPW60R099
Rds On (máx) @ Id, Vgs 99mOhm a 18.1A, 10V

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Sustitutos (8)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
STW48N60DM2	STMicroelectronics	286	497-16360-5-ND	$7.05000	Directo
FCH104N60F-F085	onsemi	407	FCH104N60F-F085OS-ND	$7.76000	Similar
IXFX48N60P	IXYS	0	IXFX48N60P-ND	$14.84560	Similar
SIHG28N65EF-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHG28N65EF-GE3-ND	$3.83768	Similar
STW34NM60N	STMicroelectronics	207	497-10975-5-ND	$11.46000	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$8.43000	$8.43
30	$4.86467	$145.94
60	$4.43917	$266.35
120	$4.08117	$489.74
510	$3.50702	$1,788.58

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