Name: IRFH5015TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5015TRPBFTR-ND
Price: 2.58 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 150 V 10H (Ta), 56H (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 8-PQFN (5x6)

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IRFH5015TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFH5015TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFH5015TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFH5015TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFH5015TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 10H (Ta), 56H (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFH5015TRPBF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 150µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2300 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10H (Ta), 56H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IRFH5015
Rds On (máx) @ Id, Vgs 31mOhm a 34A, 10V

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Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
BSC360N15NS3GATMA1	Infineon Technologies	18,108	BSC360N15NS3GATMA1CT-ND	$2.40000	Similar
FDMS86255	onsemi	64,626	FDMS86255CT-ND	$6.03000	Directo

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