Name: SPW20N60C3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPW20N60C3FKSA1-ND
Price: 6.2 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 20.7H (Tc) 208W (Tc) PG-TO247-3-1

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SPW20N60C3FKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-SPW20N60C3FKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPW20N60C3FKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 20.7H (Tc) 208W (Tc) PG-TO247-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPW20N60C3FKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 1mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 114 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400 pF @ 25 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20.7H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base SPW20N60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 190mOhm a 13.1A, 10V

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Sustitutos (13)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IXFH50N60P3	IXYS	551	238-IXFH50N60P3-ND	$13.67000	Similar
IXTQ22N60P	IXYS	2	IXTQ22N60P-ND	$9.97000	Similar
IXFH36N60P	IXYS	0	IXFH36N60P-ND	$15.93000	Similar
IXKR40N60C	IXYS	0	IXKR40N60C-ND	$34.41000	Similar
FCH190N65F-F155	onsemi	381	FCH190N65F-F155-ND	$7.68000	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$6.20000	$6.20
30	$3.50967	$105.29
60	$3.18767	$191.26
120	$2.91650	$349.98
510	$2.75169	$1,403.36

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