Name: FCMT080N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT080N65S3TR-ND
Price: 7.36 USD
Availability: InStock

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FCMT080N65S3
N.º de producto de DigiKey	488-FCMT080N65S3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-FCMT080N65S3CT-ND - Cinta cortada (CT) 488-FCMT080N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCMT080N65S3
Descripción	MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Plazo estándar del fabricante	33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 38H (Tc) 260W (Tc) 4-TDFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 880µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 71 nC @ 10 V
Serie SuperFET® III	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2765 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 260W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor 4-TDFN (8x8)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 38H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 4-PowerTSFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FCMT080
Rds On (máx) @ Id, Vgs 80mOhm a 19A, 10V