Name: NTBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG030N120M3STR-ND
Price: 12.94 USD
Availability: InStock

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NTBG030N120M3S
N.º de producto de DigiKey	5556-NTBG030N120M3STR-ND - Cinta y rollo (TR) 5556-NTBG030N120M3SCT-ND - Cinta cortada (CT) 5556-NTBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTBG030N120M3S
Descripción	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 77H (Tc) 348W (Tc) D2PAK-7
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTBG030N120M3S Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.4V a 15mA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 107 nC @ 18 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +22V, -10V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2430 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 348W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 77H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK-7
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 39mOhm a 30A, 18V