Name: NTT2012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTT2012N065M3STR-ND
Price: 12.75 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

NTT2012N065M3S
N.º de producto de DigiKey	5556-NTT2012N065M3STR-ND - Cinta y rollo (TR) 5556-NTT2012N065M3SCT-ND - Cinta cortada (CT) 5556-NTT2012N065M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTT2012N065M3S
Descripción	ELITESIC, 12 MOHM, 650 V, M3S,T2
Plazo estándar del fabricante	43 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 112H (Tc) 429W (Tc) T2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 20mA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 135 nC @ 18 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +22V, -10V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3610 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 429W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 112H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor T2PAK
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 + Pestaña), variante
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16.8mOhm a 40A, 18V