Name: NVD5117PLT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD5117PLT4G-VF01TR-ND
Price: 4.31 USD
Availability: InStock

Canal P Montaje en superficie 60 V 11H (Ta), 61H (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) DPAK

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NVD5117PLT4G-VF01
N.º de producto de DigiKey	NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - Cinta y rollo (TR) NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - Cinta cortada (CT) NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVD5117PLT4G-VF01
Descripción	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 11H (Ta), 61H (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 85 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4800 pF @ 25 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11H (Ta), 61H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16mOhm a 29A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA	Número de producto base NVD5117

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Recursos adicionales

Sustitutos (32)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
FDD8647L	onsemi	37	FDD8647LCT-ND	$1.91000	Similar
FDD8880	onsemi	348,893	FDD8880CT-ND	$0.19000	Similar
RFD16N06LESM9A	onsemi	5,082	RFD16N06LESM9ACT-ND	$2.89000	Similar
AOD2606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1477-2-ND	$0.75460	Similar
AOD2910	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOD2910-ND	$0.43736	Similar

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