Name: RF4E110GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E110GNTRTR-ND
Price: 0.87 USD
Availability: InStock

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RF4E110GNTR
N.º de producto de DigiKey	RF4E110GNTRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RF4E110GNTRCT-ND - Cinta cortada (CT) RF4E110GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RF4E110GNTR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Plazo estándar del fabricante	28 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 11H (Ta) 2W (Ta) HUML2020L8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RF4E110GNTR Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.4 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 504 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor HUML2020L8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerUDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11.3mOhm a 11A, 10V	Número de producto base RF4E110