
SCT040W65G3-4 | |
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N.º de producto de DigiKey | 497-SCT040W65G3-4-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SCT040W65G3-4 |
Descripción | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
Plazo estándar del fabricante | 36 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 30H (Tc) 240W (Tc) TO-247-4 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.2V a 1mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 37.5 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +18V, -5V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 860 pF @ 400 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 240W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 63mOhm a 20A, 18V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
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| SCT040W65G3-4AG | STMicroelectronics | 605 | 497-SCT040W65G3-4AG-ND | $13.11000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $11.29000 | $11.29 |
| 30 | $6.71033 | $201.31 |
| 60 | $6.16433 | $369.86 |
| 120 | $5.70533 | $684.64 |
| 510 | $4.96941 | $2,534.40 |

