
STF42N60M2-EP | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 497-15887-5-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | STF42N60M2-EP |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP |
Plazo estándar del fabricante | 36 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 34H (Tc) 40W (Tc) TO-220FP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | STF42N60M2-EP Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.75V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±25V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2370 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 40W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 87mOhm a 17A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| RJK6014DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RJK6014DPP-A0#T2-ND | $5.56000 | Similar |
| TK31A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 62 | 264-TK31A60W,S4VX-ND | $7.07000 | Similar |
| TSM60NE110CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE110CITC0G-ND | $8.33000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $7.74000 | $7.74 |
| 10 | $5.23600 | $52.36 |
| 50 | $4.16240 | $208.12 |
| 100 | $3.81720 | $381.72 |
| 500 | $3.21292 | $1,606.46 |

