Name: CSD13302WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD13302WTTR-ND
Price: 1.7 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 12 V 1.6H (Ta) 1.8W (Ta) 4-DSBGA (1x1)

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CSD13302WT
N.º de producto de DigiKey	296-CSD13302WTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 296-CSD13302WTCT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Texas Instruments
Número de pieza del fabricante	CSD13302WT
Descripción	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 12 V 1.6H (Ta) 1.8W (Ta) 4-DSBGA (1x1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CSD13302WT Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.3V a 250µA
Fabricante Texas Instruments	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.8 nC @ 4.5 V
Serie NexFET™	Vgs (máx.) ±10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 862 pF @ 6 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12 V	Paquete del dispositivo del proveedor 4-DSBGA (1x1)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.6H (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 4-UFBGA, DSBGA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Número de producto base CSD13302
Rds On (máx) @ Id, Vgs 17.1mOhm a 1A, 4.5V

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Cinta cortada (CT)