RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores bipolares simples y prepolarizados

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Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1106,LXHF(CT
N.º de producto de DigiKey	264-RN1106LXHF(CTTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-RN1106LXHF(CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	RN1106,LXHF(CT
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Referencia del cliente
Descripción detallada	Transistores - Bipolar (BJT) - Simple prepolarizados NPN - Prepolarizado 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Montaje en superficie SSM
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares simples y prepolarizados	Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300mV a 250µA, 5mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Corriente - Corte de colector (Máx.) 500nA
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Frecuencia - Transición 250 MHz
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 100 mW
Tipo de transistor NPN - Prepolarizado	Grado Uso automotriz
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100 mA	Calificación AEC-Q101
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 50 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Resistencias incluidas R1 y R2	Paquete / Caja (carcasa) SC-75, SOT-416
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms	Paquete del dispositivo del proveedor SSM
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms	Número de producto base RN1106
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 80 a 10mA, 5V