Name: SSM3J66MFV,L3XHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J66MFVL3XHFTR-ND
Price: 0.36 USD
Availability: InStock

Canal P Montaje en superficie 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) VESM

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SSM3J66MFV,L3XHF
N.º de producto de DigiKey	264-SSM3J66MFVL3XHFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-SSM3J66MFVL3XHFCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-SSM3J66MFVL3XHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3J66MFV,L3XHF
Descripción	AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) VESM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3J66MFV,L3XHF Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.6 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (máx.) +6V, -8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 100 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 150mW (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 150°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 800mA (Ta)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2V, 4.5V	Paquete del dispositivo del proveedor VESM
Rds On (máx) @ Id, Vgs 390mOhm a 800mA, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) SOT-723