Name: TK14G65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14G65WRQTR-ND
Price: 3.55 USD
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

TK14G65W,RQ
N.º de producto de DigiKey	TK14G65WRQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK14G65WRQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK14G65WRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK14G65W,RQ
Descripción	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 13.7H (Ta) 130W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK14G65W,RQ Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 690µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF @ 300 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 130W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13.7H (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base TK14G65
Rds On (máx) @ Id, Vgs 250mOhm a 6.9A, 10V