Name: TPHR6503PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR6503PL1LQTR-ND
Price: 3.36 USD
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 30 V 150H (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5.75)

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TPHR6503PL1,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPHR6503PL1LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPHR6503PL1LQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPHR6503PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPHR6503PL1,LQ
Descripción	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 150H (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPHR6503PL1,LQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.65mOhm a 50A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 1mA
Serie U-MOSIX-H	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10000 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 150H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5.75)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN