Name: XPN6R706NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND
Price: 1.68 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 60 V 40H (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) 8-TSON avanzado-WF (3.1x3.1)

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

XPN6R706NC,L1XHQ
N.º de producto de DigiKey	264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XPN6R706NCL1XHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XPN6R706NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XPN6R706NC,L1XHQ
Descripción	MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 40H (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) 8-TSON avanzado-WF (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	XPN6R706NC,L1XHQ Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 840mW (Ta), 100W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado-WF (3.1x3.1)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.7mOhm a 20A, 10V	Número de producto base XPN6R706
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 300µA