


SIHF30N60E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHF30N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHF30N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 29A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 29H (Tc) 37W (Tc) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 125mOhm a 15A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 37W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6030KNX | Rohm Semiconductor | 348 | R6030KNX-ND | $5.15000 | Similar |
| TSM60NC196CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 3,706 | 1801-TSM60NC196CIC0G-ND | $4.84000 | Similar |
| TSM60NE110CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE110CITC0G-ND | $8.33000 | Similar |
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2,000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | $6.15000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $7.25000 | $7.25 |
| 10 | $4.88700 | $48.87 |
| 50 | $3.87420 | $193.71 |
| 100 | $3.54840 | $354.84 |
| 500 | $2.97806 | $1,489.03 |

