
SIS128LDN-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIS128LDN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS128LDN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS128LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIS128LDN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 80 V 10.2H (Ta), 33.7H (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) PowerPAK® 1212-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIS128LDN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1250 pF @ 40 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 15.6mOhm a 10A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ3L050GNTB | Rohm Semiconductor | 3,037 | RQ3L050GNTBTR-ND | $1.30000 | Similar |
| RQ7E110AJTCR | Rohm Semiconductor | 245 | RQ7E110AJTCRTR-ND | $1.60000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.67000 | $1.67 |
| 10 | $1.05200 | $10.52 |
| 50 | $0.78560 | $39.28 |
| 100 | $0.69950 | $69.95 |
| 500 | $0.54796 | $273.98 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.41254 | $1,237.62 |
| 9,000 | $0.36816 | $3,313.44 |











