
SISF00DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISF00DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 60H (Tc) 69.4W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8SCD Doble |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 250µA |
Fabricante Vishay Siliconix | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53nC a 10V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700pF a 15V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Potencia - Máx. 69.4W (Tc) |
Estado de pieza Activo | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Configuración 2 canal N (dual), drenaje común | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8SCD Doble |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SCD Doble |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 60H (Tc) | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 5mOhm a 10A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.44000 | $2.44 |
| 10 | $1.56300 | $15.63 |
| 50 | $1.18500 | $59.25 |
| 100 | $1.06320 | $106.32 |
| 500 | $0.84928 | $424.64 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.69325 | $2,079.75 |
| 9,000 | $0.62800 | $5,652.00 |






