SUD09P10-195-BE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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SUD09P10-195-BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SUD09P10-195-BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SUD09P10-195-BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SUD09P10-195-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUD09P10-195-BE3
Descripción	MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 8.8H (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34.8 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1055 pF @ 50 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.8H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SUD09
Rds On (máx) @ Id, Vgs 195mOhm a 3.6A, 10V

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Documentos y medios

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Cinta y rollo (TR)

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